HAST及PCT試驗箱JESD22試驗方法說明
HAST及PCT試驗箱JESD22試驗方法說明
HAST/PCT試驗說明
JESD22-A101,JESD22-A102,JESD22-A110，JESD22-A118
1.JESD22-A101-C:穩(wěn)態(tài)溫度，濕度/偏壓，壽命試驗（溫濕度偏壓壽命）
試驗條件包括：溫度，相對濕度，和元件加偏壓的時間
常用測試條件：85℃±2/85%R.H±5/7.12psia（49.1kpa）/8mA/1000h
本方法用于評估非氣密性封裝IC器件在濕度環(huán)境下的可靠性，通過溫度/濕度/偏壓條件應(yīng)用于加速濕氣的滲透，同時需要維持一個規(guī)定的溫度和相對的持續(xù)濕度在規(guī)定偏壓電路來測試提供電子連接元件。
（評估非密封封裝的固態(tài)設(shè)備在高溫高濕條件下的運行可靠性，同時也能加速評估是否水霧能滲透穿過外部保護密封材料或是沿著外部保護材料和金屬導體之間的接口進入內(nèi)部。）
2.JESD22-A110 ：HAST高加速溫濕度應(yīng)力試驗
常用測試條件：130℃±2/85%R.H±5/33.3psia（230kpa）96h和110℃±2/85%R.H±5/17.7psia（122kpa）264h
3.JESD22-A118：溫濕度無偏壓高加速應(yīng)力實驗UHAST（無偏置電壓未飽和高壓蒸汽）
試驗條件包括：溫度，相對濕度，蒸汽壓力和時間
執(zhí)行無偏 HAST 是為了評估非密封封裝的可靠性,潮濕環(huán)境中的固態(tài)器件。這是一個高度加速的測試，采用溫度和非冷凝條件下的濕度，以加速水分通過外部滲透保護材料（密封劑或密封）或沿外部保護材料與穿過它的金屬導體。 在此測試中不應(yīng)用偏壓以確保故障機制可能會被偏差掩蓋（例如，電偶腐蝕）。 該測試用于識別封裝內(nèi)部的失效機制，具有破壞性。
（芯片處于密閉空間內(nèi)高溫、高濕、高壓的加速因子下，以實驗封裝的抗腐蝕能力，確定其可靠性。）
常用測試條件：130℃±2/85%R.H±5/33.3psia（230kpa）96h（264h）和110℃±2/85%R.H±5/17.7psia（122kpa）264h（96h）樣品數(shù)25ea/lot , 3lots
4.JESD22-A102-E：PCT高壓蒸煮試驗
試驗條件包括：溫度，相對濕度，蒸汽壓力和持續(xù)時間。
本方法用于評估非氣密性封裝IC器件在濕度環(huán)境下的可靠性。溫度/濕度/偏壓條件應(yīng)用于加速濕氣的滲透，可通過外部保護材料（塑封料或封口），或沿著外部保護材料與金屬傳導材料之間滲透。
5.JESD22-A102-D：PCT無偏壓高壓加速抗?jié)裥栽囼?/span>
試驗條件包括：溫度，相對濕度，蒸汽壓和時間。
本方法用于耐濕性評估和強健性測試。目的在于用壓縮濕氣和飽和濕氣環(huán)境下，評估非氣密性封裝固態(tài)元件的抗?jié)裥?。在高壓、高濕條件下加速濕氣滲透（塑封料、芯片鈍化層）或設(shè)計變更（芯片、觸電尺寸）與金屬導電層間界面的滲透，從而識別封裝內(nèi)部的失效機制，是破壞性的。
常用測試條件：121℃±2/100%R.H/29.7psia（205kpa）/24h,48h,96h,168h,240h,336h
執(zhí)行試驗標準：
GB/T2423.40-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法Cx：不飽和高壓蒸汽的恒定濕熱
IEC60068-2-66-1994環(huán)境試驗.第2-66部分：試驗方法.試驗Cx：穩(wěn)態(tài)濕熱
JESD22-A100循環(huán)的溫度和濕度偏移壽命
JESD22-A101穩(wěn)態(tài)溫度，濕度/偏壓，壽命試驗（溫濕度偏壓壽命）
JESD22-A102高壓蒸煮試驗（加速抗?jié)裥詽B透）
JESD22-A108溫度、偏置電壓和工作壽命
JESD22-A110 HAST高加速溫濕度應(yīng)力試驗
JESD22-A118溫濕度無偏壓高加速應(yīng)力實驗UHAST（無偏置電壓未飽和高壓蒸汽）
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